人们总是希望制造出的半导体器件具有高质量和良好的可靠性。为了实现这些目标，重要的是可以重复控制栅氧化层的击穿强度和阈值电压。已经发现，碱金属离子是表面电位不稳定的主要原因。因此，在制作高击穿电压二氧化硅绝缘子时，去除这类可动离子就显得尤为重要。
    已经发现，在热氧化过程中加入百分之几的氯化氢气体可以有效地吸收这种碱金属离子。进一步的研究工作是在初始氧化层生长后，在     几个百分比的HCl和O2的混合气体中高温处理二氧化硅。这个过程称为两步氯化氢处理过程。已经发现，与标准的一步栅极氧化工艺相比，  通过两步氯化氢栅极氧化工艺，面积为20，000平方密耳的电容器的薄氧化物层的击穿电场增加了56%。
    氯化氢闪蒸的优点为了充分说明两步氯化氢门氧化的优点，有必要了解一下以氯化氢为吸杂剂的热氧化的特点。据报道，在热氧化气氛中加入少量含氯物质，不仅可以消除堆垛层错，增加少子寿命，还可以通过消除移动离子，提高器件稳定性，减少氧化物缺陷，提高氧化物击穿电压。